摘要：
金融界2024年5月10日消息，据国家知识产权局公告，华为技术有限公司申请一项名为“多晶圆堆叠结构和制备方法“公开号CN118019355A,申请日期为2022年11月。专利摘要显示，本申请实施例公开了一种多晶圆堆叠结构，该多晶圆堆叠结构包括：第一晶圆，所述第一晶圆包括多个第一芯是什么。
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金融界2024年5月10日消息，据国家知识产权局公告，华为技术有限公司申请一项名为“多晶圆堆叠结构和制备方法“公开号CN118019355A,申请日期为2022年11月。专利摘要显示，本申请实施例公开了一种多晶圆堆叠结构，该多晶圆堆叠结构包括：第一晶圆，所述第一晶圆包括多个第一芯是什么。
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金融界5月8日消息，有投资者在互动平台向风华高科提问：友商三环在公众号上公布了MLCC产品实现介质层膜厚1微米的技术突破和完全量产，堆叠层数达1000层以上，产品覆盖0201至2220尺寸的主流规格。请问贵司堆叠层数能达到多少？公司回答表示：公司目前MLCC产品堆叠层数已达是什么。
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jin rong jie 5 yue 8 ri xiao xi ， you tou zi zhe zai hu dong ping tai xiang feng hua gao ke ti wen ： you shang san huan zai gong zhong hao shang gong bu le M L C C chan pin shi xian jie zhi ceng mo hou 1 wei mi de ji shu tu po he wan quan liang chan ， dui die ceng shu da 1 0 0 0 ceng yi shang ， chan pin fu gai 0 2 0 1 zhi 2 2 2 0 chi cun de zhu liu gui ge 。 qing wen gui si dui die ceng shu neng da dao duo shao ？ gong si hui da biao shi ： gong si mu qian M L C C chan pin dui die ceng shu yi da shi shen me 。
该衬底在衬底的顶表面上具有第一沟槽；以及在衬底上的芯片堆叠，包括半导体芯片。第一半导体芯片的芯片焊盘接合到衬底的衬底焊盘，该第一半导体芯片是半导体芯片中的最下半导体芯片。芯片焊盘和衬底焊盘由相同的金属材料形成。当在平面图中观察时，第一沟槽与第一半导体芯片说完了。
金融界5月8日消息，有投资者在互动平台向*ST工智提问：请问贵公司是否涉及到固态电池相关业务？公司回答表示：公司目前有涉猎了固态电池业务，目前主要为客户提供固态电池中的模组堆叠相关的自动化产线。本文源自金融界AI电报
金融界2024年5月7日消息，据国家知识产权局公告，长鑫存储技术有限公司申请一项名为“多层堆叠晶圆的切割方法及多层堆叠结构“公开号CN117995671A,申请日期为2022年10月。专利摘要显示，本公开中的多层堆叠晶圆的切割方法包括如下步骤：形成位于第一衬底上的第一堆叠结构好了吧！
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金融界2024年5月8日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社申请一项名为“半导体装置和包括半导体装置的电子系统“公开号CN117998857A,申请日期为2023年6月。专利摘要显示，提供了一种半导体装置和包括半导体装置的电子系统。所述半导体装置可以包括：栅极堆叠件，还有呢？
证券之星消息，根据企查查数据显示联赢激光(688518)新获得一项实用新型专利授权，专利名为“一种极片堆叠中防止双张的控制装置”，专利申请号为CN202320831747.6,授权日为2024年5月7日。专利摘要：本实用新型提出一种极片堆叠中防止双张的控制装置，属于电池加工技术领域，为还有呢？
金融界2024年5月4日消息，据国家知识产权局公告，杭州老板电器股份有限公司取得一项名为“一种带有感温探头的堆叠式燃烧器“授权公告号CN110953584B,申请日期为2018年9月。专利摘要显示，本发明公开了一种带有感温探头的堆叠式燃烧器，包括炉头和感温探头，炉头上沿径向从神经网络。
金融界2024年5月2日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社申请一项名为“堆叠式图像传感器“公开号CN117954460A,申请日期为2023年10月。专利摘要显示，公开了堆叠式图像传感器。所述堆叠式图像传感器包括：第一半导体基底，包括光电转换区域和浮置扩散区域；第一绝缘是什么。
三星电子4月30日表示，目前正供应12层堆叠HBM3E内存——36GB HBM3E 12H DRAM样品，计划今年二季度量产。三星8层堆叠的HBM3 8H已开始初步量产。本文源自金融界AI电报
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